Tofauti kuu kati ya PVD na CVD ni kwamba nyenzo ya kupaka katika PVD iko katika umbo thabiti ilhali katika CVD iko katika umbo la gesi.
PVD na CVD ni mbinu za upakaji, ambazo tunaweza kutumia kuweka filamu nyembamba kwenye substrates mbalimbali. Mipako ya substrates ni muhimu mara nyingi. Mipako inaweza kuboresha utendaji wa substrate; anzisha utendakazi mpya kwenye substrate, ilinde dhidi ya nguvu za nje zenye madhara, nk kwa hivyo hizi ni mbinu muhimu. Ingawa michakato yote miwili inashiriki mbinu zinazofanana, kuna tofauti chache kati ya PVD na CVD; kwa hivyo, ni muhimu katika matukio tofauti.
PVD ni nini?
PVD ni uwekaji wa mvuke halisi. Ni hasa mbinu ya mipako ya vaporisation. Utaratibu huu unahusisha hatua kadhaa. Walakini, tunafanya mchakato mzima chini ya hali ya utupu. Kwanza, nyenzo dhabiti ya mtangulizi hupigwa boriti ya elektroni, ili iweze kutoa atomi za nyenzo hiyo.
Kielelezo 01: Vifaa vya PVD
Pili, atomi hizi huingia kwenye chemba ya kuitikia ambapo sehemu ndogo ya kupaka ipo. Huko, wakati wa kusafirisha, atomi zinaweza kuguswa na gesi zingine ili kutoa nyenzo ya mipako au atomi zenyewe zinaweza kuwa nyenzo ya mipako. Hatimaye, wao huweka kwenye substrate kufanya kanzu nyembamba. Mipako ya PVD ni muhimu katika kupunguza msuguano, au kuboresha upinzani wa oksidi wa dutu au kuboresha ugumu, nk.
CVD ni nini?
CVD ni uwekaji wa mvuke wa kemikali. Ni njia ya kuweka imara na kuunda filamu nyembamba kutoka kwa nyenzo za awamu ya gesi. Ingawa njia hii inafanana kwa kiasi fulani na PVD, kuna tofauti fulani kati ya PVD na CVD. Zaidi ya hayo, kuna aina tofauti za CVD kama vile laser CVD, photochemical CVD, low-pressure CVD, metal organic CVD, n.k.
Katika CVD, tunapaka nyenzo kwenye nyenzo ndogo. Ili kufanya mipako hii, tunahitaji kutuma nyenzo za mipako kwenye chumba cha majibu kwa namna ya mvuke kwa joto fulani. Huko, gesi humenyuka na substrate, au hutengana na kuweka kwenye substrate. Kwa hivyo, katika kifaa cha CVD, tunahitaji kuwa na mfumo wa utoaji wa gesi, chumba cha kujibu, utaratibu wa upakiaji wa substrate na msambazaji wa nishati.
Zaidi ya hayo, majibu hutokea katika utupu ili kuhakikisha kuwa hakuna gesi isipokuwa gesi inayojibu. Muhimu zaidi, joto la substrate ni muhimu kwa kuamua uwekaji; kwa hivyo, tunahitaji njia ya kudhibiti halijoto na shinikizo ndani ya kifaa.
Kielelezo 02: Kifaa cha CVD Kinachosaidiwa na Plasma
Mwishowe, kifaa kinapaswa kuwa na njia ya kuondoa taka ya ziada ya gesi. Tunahitaji kuchagua nyenzo za mipako yenye tete. Vile vile, inapaswa kuwa imara; basi tunaweza kuibadilisha kuwa awamu ya gesi na kisha kuipaka kwenye substrate. Haidridi kama vile SiH4, GeH4, NH3, halidi, kaboni za chuma, alkyl za chuma na alkoksidi za chuma ni baadhi ya viambatanishi. Mbinu ya CVD ni muhimu katika kutengeneza mipako, halvledare, composites, nanomachines, nyuzi za macho, vichochezi, n.k.
Kuna tofauti gani kati ya PVD na CVD?
PVD na CVD ni mbinu za upakaji. PVD inasimamia uwekaji wa mvuke halisi wakati CVD inasimamia uwekaji wa mvuke wa kemikali. Tofauti kuu kati ya PVD na CVD ni kwamba nyenzo ya kupaka katika PVD iko katika hali thabiti ambapo katika CVD iko katika hali ya gesi. Kama tofauti nyingine muhimu kati ya PVD na CVD, tunaweza kusema kwamba katika mbinu ya PVD atomi zinasonga na kuweka kwenye substrate wakati katika mbinu ya CVD molekuli za gesi zitatenda kwa substrate.
Aidha, kuna tofauti kati ya PVD na CVD katika halijoto ya uwekaji pia. Hiyo ni; kwa PVD, huwekwa kwenye joto la chini kiasi (karibu 250°C~450°C) ilhali, kwa CVD, huwekwa kwenye joto la juu kiasi kati ya 450°C hadi 1050°C.
Muhtasari – PVD dhidi ya CVD
PVD inasimamia uwekaji wa mvuke halisi huku CVD ikiwakilisha uwekaji wa mvuke wa kemikali. Zote mbili ni mbinu za mipako. Tofauti kuu kati ya PVD na CVD ni kwamba nyenzo ya kupaka katika PVD iko katika umbo thabiti ilhali katika CVD iko katika hali ya gesi.
