BJT dhidi ya FET
Zote BJT (Bipolar Junction Transistor) na FET (Field Effect Transistor) ni aina mbili za transistors. Transistor ni kifaa cha kielektroniki cha semiconductor ambacho hutoa ishara ya pato la umeme kwa mabadiliko madogo katika ishara ndogo za pembejeo. Kwa sababu ya ubora huu, kifaa kinaweza kutumika kama amplifier au swichi. Transistor ilitolewa katika miaka ya 1950 na inaweza kuchukuliwa kama moja ya uvumbuzi muhimu zaidi katika karne ya 20 kwa kuzingatia mchango wake katika maendeleo ya IT. Aina tofauti za usanifu wa transistor zimejaribiwa.
Bipolar Junction Transistor (BJT)
BJT inajumuisha makutano mawili ya PN (makutano yaliyofanywa kwa kuunganisha semicondukta ya aina ya p na semicondukta ya aina ya n). Viunga hivi viwili vinaundwa kwa kuunganisha vipande vitatu vya semiconductor kwa utaratibu wa P-N-P au N-P-N. Kuna aina mbili za BJT zinazojulikana kama PNP na NPN zinapatikana.
Elektrodi tatu zimeunganishwa kwenye sehemu hizi tatu za semicondukta na risasi ya kati inaitwa ‘base’. Makutano mengine mawili ni ‘emitter’ na ‘colector’.
Katika BJT, mkondo wa mtoaji mkubwa (Ic) unadhibitiwa na mkondo mdogo wa kutoa emitter ya msingi (IB) na sifa hii inatumiwa kubuni vikuza au swichi. Huko kwa hiyo inaweza kuzingatiwa kama kifaa cha sasa kinachoendeshwa. BJT hutumiwa zaidi katika saketi za amplifaya.
Field Effect Transistor (FET)
FET inaundwa na vituo vitatu vinavyojulikana kama ‘Gate’, ‘Chanzo’ na ‘Drain’. Hapa kukimbia sasa kunadhibitiwa na voltage ya lango. Kwa hivyo, FET ni vifaa vinavyodhibitiwa na voltage.
Kulingana na aina ya semikondakta inayotumika kwa chanzo na unyevu (katika FET zote mbili zimeundwa kwa aina ya semicondukta sawa), FET inaweza kuwa chaneli N au kifaa cha chaneli P. Chanzo cha kutiririsha mtiririko wa sasa kinadhibitiwa kwa kurekebisha upana wa kituo kwa kutumia voltage inayofaa kwenye lango. Pia kuna njia mbili za kudhibiti upana wa chaneli inayojulikana kama kupungua na uboreshaji. Kwa hivyo FET zinapatikana katika aina nne tofauti kama vile chaneli N au P zilizo katika hali ya kupungua au ya uboreshaji.
Kuna aina nyingi za FET kama vile MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), HEMT (High Electron Mobility Transistor) na IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). CNTFET (Carbon Nanotube FET) ambayo ilitokana na maendeleo ya nanoteknolojia ndiyo mwanachama wa hivi punde zaidi wa familia ya FET.
Tofauti kati ya BJT na FET
1. BJT kimsingi ni kifaa kinachoendeshwa kwa sasa, ingawa FET inachukuliwa kuwa kifaa kinachodhibitiwa na voltage.
2. Vituo vya BJT vinajulikana kama emitter, mtoza na msingi, ilhali FET imeundwa kwa lango, chanzo na mifereji ya maji.
3. Katika programu nyingi mpya, FET hutumika kuliko BJTs.
4. BJT hutumia elektroni na mashimo kwa upitishaji, ilhali FET hutumia moja tu kati ya hizo na hivyo kujulikana kama transistors za unipolar.
5. FET zinatumia nguvu kuliko BJTs.
